Varias filtraciones sobre las futuras versiones del Samsung Galaxy S10 apuntan a que tendrían 1 TB de almacenamiento interno, algo que no se ha visto jamás dentro de un móvil hasta la fecha.
Dicho rumor sobre el Samsung Galaxy S10 estaría confirmado por la presentación oficial de la quinta generación V-NAND, el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 2.1 integrado de un terabyte (TB) para móviles.
Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Ventas y Mercadeo de Memoria en Samsung Electronics, adelantó que este dispositivo marcará el futuro de la telefonía móvil en las próximas generaciones de smartphones. No señaló expresamente que lo veríamos dentro del Samsung Galaxy S10, pero la referencia hace suponer que así será.
La memoria de 1 TB en los Samsung Galaxy S10 haría posible que los usuarios puedan almacenar 260 videos de 10 minutos en formato 4K UHD (3840 × 2160). Además, habrá una mayor velocidad de transferencia de contenido multimedia (1.000 MB/s, casi el doble de una unidad de estado sólido (SSD) SATA de 2,5 pulgadas).
El Samsung Galaxy S10 será presentado oficialmente en San Francisco, Estados Unidos, el 20 de febrero.
Contenido GEC